東芝開發應用於ARM內核微控制器的高速NANO FLASH™-100快閃記憶體

原廠訊息 - 2013/02/04

東京–東芝公司(東京:6502)今天宣佈,在公司原有NANO FLASH™的基礎上,它已開發出應用於嵌入式微控制器的具有更快存取速率的 NANO FLASH™-100快閃記憶體。

開發背景:

嵌入式微控制器的多功能性和高速存取能力需要以具備更快存取速率的快閃記憶體為基礎。東芝已經充分認識到這一點並為此開發了NANO FLASH™,這款產品具有兩大特點:高速編程 (基於NAND快閃記憶體裝置技術); NOR 快閃記憶體電路技術。隨後,東芝將這些高級性能應用于其原來的微控制器和 ARM 內核的微控制器產品中。現在,隨著越來越多的用戶使用ARM內核微控制器,市場對於更快更大存儲能力的需求日益增加。 NANO FLASH™-100快閃記憶體則可以完全滿足市場的這一需求。

特徵:

最新開發的NANO FLASH™-100實現了以100MHz運行時隨機存取的零等待時間(注 1),這是目前業內的最高水準。這就使得ARM微控制器內核完全滿足了需要進行高速和大容量存儲的應用對於高性能和高代碼密度的要求。

使用超低功耗技術納米閃存™微控制器,廣泛的高速度、低功耗應用的發展是可用的。

東芝將繼而推出首款使用NANO FLASH™-100的TMPM440F10XBG,它是擁有額外ARM內核的產品(M4)使用 NANO FLASH™微控制器的超低功率技術,即可實現各種高速、低功率應用的開發。

注 1: 根據東芝對於嵌入式微控制器快閃記憶體的調查 (截止於2013年1月)

注 2: ARM和Cortex是ARM有限公司在歐洲和其他國家的商標或注冊商標。

注 3: NANO FLASH是東芝公司的商標。

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